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本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
以氧化铝及硅作为led集成封装基板材料的热阻比较分析，详细说明这些材料做的热阻的导热性和绝缘性，以及导致的问题对led光源性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/5/11218_46.htm2011/1/5 11:21:08
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近
https://www.alighting.cn/resource/20130826/125380.htm2013/8/26 14:04:58
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结
https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11
为求解硅基热沉大功率led封装阵列在典型工作模式下的热传导情况，采用solidworks建立了2x2封装阵列的三围模型，模拟了其温度场分布，同时结合传热学基本原理分析计算了模型各
https://www.alighting.cn/resource/20140617/124506.htm2014/6/17 11:53:43
2015.4.25，在四川美术学院公共艺术学院里，各位大师就”如何实现灯光的商业价值和社会价值“这一主题展开了精彩的演讲。
https://www.alighting.cn/resource/20150430/85042.htm2015/4/30 16:36:57
在led封装制程中，硫化现象主要发生在固晶和点胶封装工序，发生硫化的主要是含银的材料(镀银支架和导电银胶)和硅性胶材料。
https://www.alighting.cn/2015/3/9 13:29:15
介绍了一种基于fpga 的驱动方案，为所研制的基于微晶硅tft 基板的17.8cm(7in)有源矩阵有机发光显示器(amoled)提供驱动。
https://www.alighting.cn/resource/20140718/124433.htm2014/7/18 10:57:47
