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应用mems技术开发薄膜显示器的风险企业美国uni-pixel宣布，将就该公司mems彩色显示器“tmos（time multiplexed optical shutter）
https://www.alighting.cn/news/20081029/120218.htm2008/10/29 0:00:00
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的zno薄膜。采用原子力显微镜(afm)、x射线衍射仪(xrd)、可见-紫外分光光度计系统研究了zno薄膜微观结
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127198.htm2011/9/5 14:35:18
近年来，薄膜电容器凭借着自身损耗低、阻抗低、高耐压、高频特性好等优点广泛应用于新能源各领域，而新能源各领域的爆发式增长又推动了薄膜电容器需求的快速增长。未来，led照明、新能源汽
https://www.alighting.cn/news/20141103/86969.htm2014/11/3 14:53:37
法制备了未掺杂zno薄膜。通过x射线衍射、拉曼光谱、光致发光光谱和吸收光谱对其结构和光学性质进行了表
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
介绍了利用电子束蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长具有良好表面形貌和晶体结构的zno薄膜方法.不同测试温度(室温至773k)条件下的透射光谱显示,蒸镀在蓝宝石光纤端面上的zno薄膜,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06
n 基蓝光led 制程的关键技术如金属有机物气相外延, p 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性gan薄膜及其衬底材料》的资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
日本mec在“fpd international 2008”上展出了目视检查照明系统“b30系列”，采用该系统更易于看到光学薄膜的划痕等。该产品将于2008年12月上市。
https://www.alighting.cn/news/2008117/V17839.htm2008/11/7 10:35:37
