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英国专家用半极性GaN生长高效益led

英国雪菲尔大学(sheffield university)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(applied physics letter)期刊上发布在半极性氮化(ga

  https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40

氮化需求增长

现在led盛行的风潮下,氮化首先作为半导体发光二极管在led照明产业取得重大突破,这也极大带动了金属的消费。

  https://www.alighting.cn/news/20141224/81214.htm2014/12/24 9:46:59

日本开发出使用氧化基板的GaN类led元件

日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化基板的GaN类led元件,预计该元件及氧化(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/2011329/n797930941.htm2011/3/29 19:08:31

又一个项目落地,2亿元氮化材料与器件项目落户海南

4月13日,海南自由贸易港建设项目集中开工和项目签约仪式举行,此次活动海口主会场共签约33个项目,其中省属项目11个,海口市项目22个。

  https://www.alighting.cn/news/20200416/168104.htm2020/4/16 17:33:53

腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长GaN质量的影响

n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化质量的影响机

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39

不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅(si)衬底上外延生长的氮化(GaN)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

GaN基功率led电应力老化早期的退化特性

大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

氮化衬底及其生产技术

氮化衬底用于氮化生长的最理想的衬底自然是氮化单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响

通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31

美国研究出让光通量翻番的氮化led技术

据物理学家组织网3月20日报道,美国北卡罗来纳州立大学的科学家日前开发出一种新技术,能够在不增加用电量的情况下大幅提升发光二极管(led)的亮度。与此同时,借助一种特殊的涂层材料,

  https://www.alighting.cn/news/2014321/n215060914.htm2014/3/21 10:31:19

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