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2007年3月19日，澳大利亚bluglass公司声称观察到玻璃衬底GaN led的短暂发光。
https://www.alighting.cn/resource/20070320/128486.htm2007/3/20 0:00:00
薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress)，这种应力在led架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化镓和蓝宝石之
https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15
据悉，现行的制造技术仅能制作出数mm左右大小的长方形GaN基板。住友的GaN基板，突破这一量产组件的瓶颈，即使与现行已进行量产的GaN基板结晶面(crystal face)相
https://www.alighting.cn/resource/20101125/128781.htm2010/11/25 0:00:00
北京大学的张国义整理的关于《GaN同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料，分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd（遥控等离子化学气相沉积）在玻璃衬底上沉积的GaN led与mocvd法制备的led进
https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
本文首先综述了GaN基材料的基本特性，分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
