站内搜索
大功率led 得以广泛应用，主要由于其寿命长、体积小、电转化效率以及高色温等特点。但是在led 的推广应用中，高效稳定的散热问题成为了重要阻碍。本文着重对大功率led 的散热问题进
https://www.alighting.cn/2014/5/13 10:16:07
led可以分为好多种，分为不同的颜色。那么，不同的led之间有什么差别呢？我们平时见到的各种各样的led又是根据什么来区分？它们对比起来又有什么样的优势？今天让小编为你们揭晓，紫色
https://www.alighting.cn/resource/20140425/124633.htm2014/4/25 11:02:49
氮化镓晶体管的开关频率非常高，这种开关速度对驱动器中的线圈和储能电容的尺寸有很大的影响。氮化镓驱动器的开关速度比硅基驱动器的10倍。因此驱动可以做得更小更便宜，整个led灯更轻更
https://www.alighting.cn/resource/20140327/124727.htm2014/3/27 13:41:27
薄化的功效是为了减少氮化物半导体架构中的残余压应力(residual compressive stress)，这种应力在led架构中对降低的压电电场有撞击效应。氮化镓和蓝宝石之
https://www.alighting.cn/resource/20140321/124752.htm2014/3/21 11:55:15
jonathan harris表示，一种新型的氮化铝(ain)陶瓷技术，可以在为hb led提供足够的散热性能的同时，拉近其与氧化铝封装的价格点。
https://www.alighting.cn/resource/20140224/124830.htm2014/2/24 14:06:25
众所周知，绿光led的性能水平达不到同等红光和蓝光led。但可以通过降低电流密度、使用一个更大的芯片以及优化生长条件来减少黑点，能够尽可能缩小在100ma驱动电流条件下，达到190
https://www.alighting.cn/resource/20140117/124895.htm2014/1/17 16:05:30
近几年来，硅衬底GaN基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，GaN/si基器件成为一个研究热点。然而, GaN与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸为
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
