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基于ps球刻蚀技术制备纳米孔滤波器结构的优化分析

研究表明:在选择粒径为720nm的ps球、刻蚀剩余粒径为240nm、金属膜厚度为120nm的条件下,满足cie红光显示标准的共振波长为704. 06nm,强度透射率为52%,透射

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123515.htm2015/3/6 9:38:38

基色led的光谱漂移及其对显色性能影响的研究

通过分析人眼对颜色宽容量的大小,以及基色led的最大漂移波长,得到了只有红色led的色差会影响显示屏显色性能的结论。该研究为彩色led工程实践中反馈控制消除由基色漂移造成的显色色

  https://www.alighting.cn/2014/12/22 14:10:08

ingan_gan多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性

小,带边辐射复合能量增大,能态密度增多,对应的发光过程的峰值波长变短(蓝移),半高宽变

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19

大功率algainp 红光led散热基板热分析

采用有限体积数值模拟、瞬态热阻测试方法及热沉温度-峰值波长变化的关系,对三种散热基板上大功率algainp 红光发光二极管进行热特性分析。三种led采用相同型号、规格、散热基

  https://www.alighting.cn/2014/6/4 17:55:50

详解基于芯片与封装的两种led分选方法及应用

led通常按照主波长、发光强度、光通亮、色温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分选。led的测试与分选是led生产过程中的一项必要工序。目前,它是许多led芯片和封

  https://www.alighting.cn/resource/20131122/125097.htm2013/11/22 14:15:02

英特美远程荧光粉的简介

以下文档描述了三维远程荧光粉 chromalit? 资源的技术和应用。这些光源在适用的指定色温下,与高效蓝色(主波长 455nm)led 结合,提供均匀的朗伯型发光光型。色温包括

  https://www.alighting.cn/2013/11/14 11:49:50

led芯片的技术发展状况

随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极

  https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29

基于芯片与封装的两种led分选方法

led通常按照主波长、发光强度、光通亮、色温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分选。led的测试与分选是led生产过程中的一项必要工序。目前,它是许多led芯片和封

  https://www.alighting.cn/2013/2/27 10:58:01

gan氮化镓(gallium nitride)

由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和

  https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42

有机el照明的发展动向

点光源led蕴藏优秀发展潜力,不过单一led不易取得面光源,必须使用复数led散热、波长漂移、驱动电路与光学设计复杂等缺点,因而促进有机半导体构成的有机el快速发展。

  https://www.alighting.cn/2012/10/11 16:20:33

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