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led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激光
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿电流最小,绿光led到6 h隧穿电流最小;同时,两种led的反
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽sic、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓gan，中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石，而就全球范围来看，蓝宝石衬底的led市场份额也
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56
本次led照明改造案例作者带您来到深圳天虹商场，体验一下商场进行led改造后的照明效果体验和感受。
https://www.alighting.cn/resource/2013/11/20/135939_32.htm2013/11/20 13:59:39
本案例是2014年阿拉丁神灯奖工程类参评项目——深圳市led路灯节能改造项目标段三。其中附件为深圳市led路灯节能改造项目标段三的布灯图、亮度公布图、电力系列图，欢迎下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/2014/4/14/103150_46.htm2014/4/14 10:31:50
研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au p
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件： 一个采用dpak封装的100 v mosfet，以及一个同样采用dpak封装的100 v肖特基二极管。led背光单元中，肖特基二极
https://www.alighting.cn/2014/8/21 10:25:27
2001年，深圳淼浩的创始人李明远了解到宝安区正在着手建设“桃花源”，他带着自己的创业计划认真对那里的园区环境进行一番考察后
https://www.alighting.cn/resource/200728/V8801.htm2007/2/8 13:31:28
