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led发展简史

1907年henry joseph round第一次在一块碳化硅里观察到发光现象。由于其发出的黄光太暗,不适合实际应用;更难处在于碳化硅与发光不能很好的适应,研究被摒

  https://www.alighting.cn/resource/20110304/127919.htm2011/3/4 17:28:10

oakridge国家实验室声称全面提升oled发光效率

oakridge国家实验室声称,通过向oled中掺杂磁纳米粒子,可使oled的效率提高30%。把磁性材料引入oled之中,将使亮度得到控制,而不必附加接触。

  https://www.alighting.cn/resource/20070721/128516.htm2007/7/21 0:00:00

照明设计之led特性及简单驱动

led具有一般硅二极管的类似特性,在正负极之间施加压。当外加压达到一个临界值,led中产生流,开始发光。当压超过这个临界值时,流急剧增加

  https://www.alighting.cn/resource/2012/3/7/14439_36.htm2012/3/7 14:04:39

sic缓冲层对si表面生长的zno薄膜结构和光性能的改善

用脉冲激光沉积(pld)技术制备了zno/sic/si和zno/si薄膜并制成了紫外探测器。利用x射线衍射(xrd),光发光(pl)谱,i-v曲线和光响应谱对薄膜的结构和光

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12

gan led外延片微结构分析及性能研究

数,2.利用高分辨x射线衍射对gan基led外延片的超晶格结构进行了测量, 3.利用高分辨透射子显微镜对gan基led外延片进行了分析 4.利用f7000荧光光谱仪对样品进行了光

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52

大功率led芯片抗过应力能力研究

对不同大功率led芯片进行单次脉冲浪涌冲击,对比不同大功率led芯片在相同浪涌波形下的抗过应力能力。实验共测试5款led产品,发现不同大功率led芯片的抗过应力能力相差很

  https://www.alighting.cn/resource/2013/11/15/153954_33.htm2013/11/15 15:39:54

led灯具的过应力冲击防护设计

分析led灯具过应力冲击的故障现象、产生原因、解决办法;强调led灯具设计师必须在满足灯具尺寸、成本、照明效果等要求的前提下,为led灯具提供有效的过应力冲击保护设计。

  https://www.alighting.cn/resource/2011/11/18/173714_75.htm2011/11/18 17:37:14

大功率led芯片抗过应力能力研究

对不同大功率led芯片进行单次脉冲浪涌冲击,对比不同大功率led芯片在相同浪涌波形下的抗过应力能力。实验共测试5款led产品,发现不同大功率led芯片的抗过应力能力相差很

  https://www.alighting.cn/resource/20131114/125121.htm2013/11/14 16:33:06

通过插入au薄膜改善绿光oled器件的发光色纯度

在一些有机发光器件中,au常被用作阳极,研究者希望au在导的同时兼具半透明可出光的属性,这要求au在能导的同时厚度要尽量薄。

  https://www.alighting.cn/resource/20150227/123572.htm2015/2/27 10:53:07

发光二极管专业知识

发光二极管(led)是一种由磷化镓(gap)等半导体材料制成的、能直接将能转变成光能的发光显示器件。当其

  https://www.alighting.cn/resource/2007530/V12591.htm2007/5/30 15:26:15

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