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用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
据日经产业新闻30日报导，日本多晶硅制造龙头厂商tokuyama已研发出一款使用于LED基板的大尺寸单晶硅晶圆，将正式进军LED用大尺寸硅晶圆市场。报导指出，tokuyama所研
https://www.alighting.cn/news/20111201/114055.htm2011/12/1 11:18:52
将硅衬底上外延生长的氮化镓基LED 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光LED 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
在“2013新世纪LED高峰论坛”技术峰会iii“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上，晶能光电(江西)有限公司硅基LED研发副总裁孙钱博士就“硅基氮化镓大功率LED的研发
https://www.alighting.cn/news/20130610/88293.htm2013/6/10 14:48:59
碳化硅 (sic) 功率器件市场领先者科锐公司 (nasdaq: cree) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200v z-rec? 碳化硅 (sic) 肖特基二极
https://www.alighting.cn/news/2011627/n668732779.htm2011/6/27 17:32:32
在si衬底上生长了gan基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板gan基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
当然gan与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题，很容易出现龟裂现象，要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基LED确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为，硅衬
https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23
本文首先综述了gan基材料的基本特性，分析了gan基蓝光LED制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
6月10日，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
道康宁公司的材料科学专家携手全球知名LED制造商共同开发有机硅灌封材料和能够承受高温的压模成型有机硅透镜材料；这些材料适用于现有的生产工艺流程，为新一代高亮度LED应用提供其所必
https://www.alighting.cn/resource/20081223/128647.htm2008/12/23 0:00:00
