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近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
基板的选择中，氧化铝(al2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料，其中氧化铝基板因是绝缘体，必须有传导热设计，藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体，但绝缘性不
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
以氧化铝及硅作为led集成封装基板材料的热阻比较分析，详细说明这些材料做的热阻的导热性和绝缘性，以及导致的问题对led光源性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/5/11218_46.htm2011/1/5 11:21:08
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近
https://www.alighting.cn/resource/20130826/125380.htm2013/8/26 14:04:58
硅晶柱长成后，整个晶圆的制作才到了一半，接下必须将晶柱做裁切与检测，裁切掉头尾的晶棒将会进行外径研磨、切片等一连串的处理，最后才能成为一片片价值非凡的晶圆，以下将对晶柱的后处理制
https://www.alighting.cn/resource/20110421/127709.htm2011/4/21 15:40:34
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结
https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11
为求解硅基热沉大功率led封装阵列在典型工作模式下的热传导情况，采用solidworks建立了2x2封装阵列的三围模型，模拟了其温度场分布，同时结合传热学基本原理分析计算了模型各
https://www.alighting.cn/resource/20140617/124506.htm2014/6/17 11:53:43
