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牺牲ni退火对gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在发光二极管(LED)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

转移基板材质对sigan基LED芯片性能的影响

在si上生长了gan基LED外延材料,分别转移到新的基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。

  https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36

基于不同基板1w蓝光LED老化性能研究

近几年来,gan基LED技术备受关注。因为(si)具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点,在功率型LED器件应用方面具有优良的性能价格比。

  https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55

基氮化镓在大功率LED的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告,

  https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37

sigan基蓝光LED老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μmgan基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

蓝光LED材料比较

收集整理了蓝光LED材料的对比,仅供参考;

  https://www.alighting.cn/resource/20101104/128232.htm2010/11/4 10:58:30

2010-2015年中国LED材料市场调研及投资发展前景分析报告

本文转载自新世纪LED论坛一篇研究报告,文中详述了中国LED材料市场调研及投资发展前景,极尽细致详尽。推荐给业内人士参考。

  https://www.alighting.cn/2012/12/4 15:27:54

光环加身的LED技术能否颠覆行业格局?

历经2015年的艰难奋进,来到2016年,LED产业的走向喜或忧,业界各有猜想。在这样的背景下,木林森向华灿光电许下15亿彩礼。双方达成战略协议,木林森在未来3年内从华灿采

  https://www.alighting.cn/news/20160422/139659.htm2016/4/22 9:37:33

gan基LEDn极性n型欧姆接触研究

在sigan基垂直结构LED的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。

  https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32

晶能光电(江西)有限公司“发光二极管材料与器件”产业化项目一期工程竣工

晶能光电(江西)有限公司是以南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心为技术依托,由金沙江、淡马锡、梅菲尔德、永威投资、凯鹏华盈等多家国际著名的风险投资基金共同投资,专门从事

  https://www.alighting.cn/news/20080507/101876.htm2008/5/7 0:00:00

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