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1907年henryjosephround第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用;更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应，研究被摒弃了
https://www.alighting.cn/resource/2008723/V16699.htm2008/7/23 10:25:13
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅基制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对硅基大功率led 的封装结构建立了热传导模型，并通过有限
https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19
在si衬底gan基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜111
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
迈图的tia热熔胶、粘合剂及散热膏可在led显示板和散热片之间形成一条散热通道，从而有助于在散热过程中保护led。tia产品均为液态形式，方便将精确数量的材料准确地涂抹于具体位置，
https://www.alighting.cn/resource/20101102/128352.htm2010/11/2 0:00:00
一种双向二极硅流管和一种纳灯电子触发器。双向二极闸流管是用硅单晶片制成的ｎｐｎｐｎ五层结构的二极管，用于交流电路中因无控制极可简化电路
https://www.alighting.cn/resource/200728/V8829.htm2007/2/8 14:30:03
本文主要与大家分享薄膜芯片技术概要，封装技术介绍，驱动设计，照明用大功率led技术等，与大家分享关于高亮led的一些近况；
https://www.alighting.cn/2011/11/28 12:48:47
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
在si衬底上生长了gan基led外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
