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本文定义了表征光源光输出波动的三个参数：波动深度、闪烁指数和调制深度。比较了线性照度传感器、光敏二极管、普通照度计探头和光电倍增管四种探测器用于测量光波动的优缺，发现照度传感器能满
https://www.alighting.cn/resource/2009729/V20410.htm2009/7/29 12:03:47
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
目前，国内大部分的外延芯片企业涉及到led显示屏的领域，显示屏领域成为国内led芯片企业的重要的应用终端，那么如何提高led显示屏的发光效率成为一个重要的课题。
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127181.htm2011/9/7 17:10:36
本文解析了反射式led显示屏的特点，仅供参考。
https://www.alighting.cn/2013/8/22 11:10:46
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的微
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
gan是优越的iii-v族直接带隙半导体材料，是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。gang基光电子器件的制备和工艺
https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为gan的
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
led的应用面很广，然而芯片本身价格过高和发光效率有待提升的问题，始终困扰着led照明技术的推广普及。发光效率要提升，就要有效增加取出效率。
https://www.alighting.cn/resource/20110414/127751.htm2011/4/14 13:06:53
文章从多个方面简析了led封装的未来发展趋势，仅供参考。
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125382.htm2013/8/23 16:34:19
