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提高GaN发光二极外量子效益的途径

发光二极(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展,本文主要介绍了提高GaN 基led 外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射

  https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30

全国最大发光二极项目落户浑南

4日下午,以沈阳市长陈政高为代表的南下招商团满载而归,一期投资1亿美元的发光二极项目落户浑南。同时,一大批与港台及内地客商洽谈的项目得以快速推进。这次招商活动也拉开了沈阳工业

  https://www.alighting.cn/news/20050110/101871.htm2005/1/10 0:00:00

二极的特性与应用

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。

  https://www.alighting.cn/resource/2007720/V12678.htm2007/7/20 12:15:59

二极的特性与应用

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。

  https://www.alighting.cn/news/2007720/V12678.htm2007/7/20 12:15:59

led数码(led数位

led数位(数码)是一种半导体发光器件,其基本单元是发光二极体。数位按段数分为七段数位和八段数位,八段数位比七段数位多一个发光二极体单元(多一个小数点显示);按能显

  https://www.alighting.cn/resource/20101026/128266.htm2010/10/26 11:53:04

双波长inGaN/GaN多量子阱发光二极的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的inGaN/GaN多量子阱发光二极结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

sj/t 11398-2009 功率半导体发光二极芯片技术规范

主要规定了功率半导体发光二极芯片材料、尺寸、键合区、标志、外观质量、绝对最大额定值和光电特性、质量保证规定、交货准备、目检、静电放电敏感度测试和分级方法等。

  https://www.alighting.cn/news/20111027/109398.htm2011/10/27 12:13:48

利用微球层提高有机发光二极出光效率

件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleds器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29

具有发光奈米粒子之发光二极

技术描述:奈米粒子或量子点会增加电子态密度(density of state),因而增加材料的发光效率。这些小尺寸的发光奈米粒子可用化学的方法形成奈米胶体粒子均匀分散在溶剂中,或

  https://www.alighting.cn/resource/20060522/128933.htm2006/5/22 0:00:00

安捷伦推出汽车高亮度发光二极

安捷伦科技公司和lumiledslight-ing日前宣布推出3款envisium中等功率发光二极产品envisiumpowerplcc-4(塑料引线芯片载体)表面封装(sm

  https://www.alighting.cn/news/2007416/V672.htm2007/4/16 9:42:26

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