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介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
内容概要：led外延芯片的发展现状；led核心技术的发展趋势；垂直薄膜型led芯片研发现状。
https://www.alighting.cn/2014/2/28 11:00:27
异，可应用于高亮度薄膜led的制造
https://www.alighting.cn/resource/20111114/126897.htm2011/11/14 12:49:35
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
有机发光器件(oled)诞生至今,封装方式一直是提高其寿命和稳定性的重要因素之一,也是当前研究的热点。从最初的后盖式封装发展到现在的薄膜封装,其寿命和稳定性也随之提高,人们幻
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127242.htm2011/8/29 15:34:10
利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
住友3m在“fpd international 2007”上展出了可使背照灯亮度提高10％的光学薄膜。通过将背照灯的光分离成p偏振光和s偏振光、使无法透过液晶面板下方偏光板的偏振
https://www.alighting.cn/resource/20071102/128557.htm2007/11/2 0:00:00
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
tft（thin film transistor）lcd即薄膜场效应晶体管lcd，是有源矩阵类型液晶显示器（am-lcd）中的一种。tft-lcd产业技术成熟，大规模生产的成品率
https://www.alighting.cn/resource/20140829/124311.htm2014/8/29 12:02:06
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
