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对在sic衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
在有源( am) 显示中, 控制oled的薄膜晶体管(thin film transistor, tft)通常制作于阳极一侧,这就要求tft必须是p型,而常规的非晶硅tft和多晶
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:15:36
通过调整alq3的厚度, 同时在a lq3和al阴极之间加入lif薄膜以提高电子注入效率, 获得了较为理想的实验结果。
https://www.alighting.cn/resource/20150310/123491.htm2015/3/10 13:34:22
着你可以使用6个210μ聚酯薄膜包亚光表面表达你的创造力。只需上传你想要的画面即可，我们将会把它变身为数字格式并变成一份完美的礼物，无论是送给自己还是朋
https://www.alighting.cn/news/20150310/97027.htm2015/3/10 9:35:28
研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂gan薄膜的光学与电学性能。
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得gan 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
在一些有机电致发光器件中，au常被用作阳极，研究者希望au在导电的同时兼具半透明可出光的属性，这要求au在能导电的同时厚度要尽量薄。
https://www.alighting.cn/resource/20150227/123572.htm2015/2/27 10:53:07
将氮化镓薄膜成长于矽基板之“二硼化锆(zrb2)缓冲层制程技术与设备
https://www.alighting.cn/news/20150224/97159.htm2015/2/24 12:05:52
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
用于oled的材料可以分为共轭高分子材料和小分子材料两大类。
https://www.alighting.cn/resource/20150203/123648.htm2015/2/3 10:02:54
