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采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
大多数芯片厂商所生产的大功率led芯片采用双电极结构，即正负极同在芯片一侧，因此芯片与支架之间的固定是无需导电性固晶胶的，这时较为理想的固晶胶应兼顾粘接牢、耐老化、绝缘和高导
https://www.alighting.cn/resource/20120222/126726.htm2012/2/22 9:30:53
飞利浦lumileds 和玉晶光电公司 (gseo)2009年10月12日宣布，gseo 正在与luxeon rebel 合作，开发可在全中国道路上应用新型固态照明及路灯模
https://www.alighting.cn/resource/20091013/128745.htm2009/10/13 0:00:00
本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(pss)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后gan材料的影响。扫描电镜(sem)测试结果表明:随着腐蚀液温
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
我国台湾地区工研院研发技术受到国际肯定，其ac led（交流发光二极管）技术荣获素有科技界奥斯卡奖之称的美国r&d杂志100科技研发奖，同时，也将相关技术移转给晶电、鼎元及福华等
https://www.alighting.cn/resource/20080716/128607.htm2008/7/16 0:00:00
回顾了(0001)面蓝宝石衬底在led的重要作用及其磨粒加工方法的发展进程。归纳了磨粒加工在蓝宝石衬底的超光滑制备过程中的应用现状,分别对磨削、机械抛光、干式机械化学抛光、湿式机
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127214.htm2011/9/1 14:20:00
采用温梯法生长了非极性gan外延衬底r(012)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
