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mocvd技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，mocvd仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，mocvd技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带
https://www.alighting.cn/resource/20130228/125982.htm2013/2/28 10:33:06
较于白炽灯、紧凑型荧光灯等传统光源，发光二极管(led)具有发光效率高、寿命长、指向性高等诸多优势，日益受到业界青睐而被用于通用照明(general lighting)市场。led
https://www.alighting.cn/resource/20130222/126022.htm2013/2/22 11:47:20
采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
利用gcr170型脉冲激光器nd：yag 的三次谐波(355nm)，以蓝宝石al2o3(0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的zno薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)塑料上的氧化铟锡(ito)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126128.htm2013/1/23 10:29:32
阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
利用pld方法沉积了si基zno薄膜，通过结构和电学特性的测量，研究了在o2气氛下退火温度对zno薄膜微结构的改善。研究得到：o2气氛下700℃退火，zno薄膜中出现施主深能级局
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42
