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采用量子点模型对蓝色ingan/gan多量子阱发光二极管电致发光光谱进行考察，并和实验测量结果进行了比对，结果发现，利用量子点模型计算出的自发辐射发光峰位与实验得出的电致发光的峰
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
量子点技术能够增强led的功能，使液晶电视图像更为生动，并改善暖cct、高cri固态照明的光效。然后，成本、可靠性和寿命问题妨碍了它的广泛商用部署。但是，该技术已经取得了进步，已
https://www.alighting.cn/resource/20140515/124565.htm2014/5/15 14:07:03
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
日前，问天量子科技有限公司在安徽芜湖高新技术产业区成功研制出全球首款零功耗led保护芯片，标誌着一直困扰led照明行业的模组化连接方式正式得到解决。
https://www.alighting.cn/news/20100806/105549.htm2010/8/6 0:00:00
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高gan 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降
https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18
本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好.
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126127.htm2013/1/23 10:46:23
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
明,在20ma注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80
https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27
