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本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好.
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126127.htm2013/1/23 10:46:23
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
明,在20ma注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80
https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27
经过30多年的发展，量子点材料已实现了“绿色合成路线”，性能逐渐提升，能够进行工业化产品生产供应，目前已经开发出商业化应用的光致发光器件，该系列器件相继应用于led照明和显示领域。
https://www.alighting.cn/news/20180821/158106.htm2018/8/21 10:50:22
https://www.alighting.cn/news/20110510/115549.htm2011/5/10 14:42:49
氮化铟镓(ingan)是蓝光led的关键材料，最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制，该研究在今年一月刊载于期刊《physical revie
https://www.alighting.cn/news/20180125/154979.htm2018/1/25 10:46:22
应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
2016阿拉丁照明论坛 “材料科技进步与照明品质提升” 技术峰会上，bree江苏博睿光电有限公司副总经理梁超做了主题为“高光量子密度封装器件用led荧光粉开发”的精彩演讲。
https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141009.htm2016/6/10 11:34:57
led芯片分为mb芯片，gb芯片，ts芯片，as芯片等4种，下文将分析介绍这4种芯片的定义与特点。
https://www.alighting.cn/news/20091116/V21704.htm2009/11/16 15:14:24
文章分析了mb芯片、gb芯片、ts芯片以及as芯片这四种led芯片各自的特点。
https://www.alighting.cn/2013/9/11 14:30:53
