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采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在gan中的扩散系
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
从显示技术上说，lcd是由液态晶体组成的显示屏，led是由发光二极管组成的显示屏。led数码显示中每一个像素单元就是一个发光二极管，单色led显示屏一般是红色发光二极管。有关le
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/19/91742_43.htm2012/3/19 9:17:42
在有源( am) 显示中, 控制oled的薄膜晶体管(thin film transistor, tft)通常制作于阳极一侧,这就要求tft必须是p型,而常规的非晶硅tft和多晶
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:15:36
子晶体技术
https://www.alighting.cn/2014/12/22 13:37:39
计中使用双极性节点晶体管 (bjt)
https://www.alighting.cn/2014/12/15 10:39:51
igzo为铟镓锌氧化物的缩写，非晶igzo材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。amoled是有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板，amoled具有反应速度较快
https://www.alighting.cn/2014/8/18 11:03:46
igzo是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料，igzo技术具有低耗电量、高屏幕精度、高触摸性能等优势，据称未来iphone将采用igzo显示技术，那么igzo究竟有什么样的独
https://www.alighting.cn/resource/20140515/124564.htm2014/5/15 14:31:41
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
