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普通照明用发光二极管性能要求(qbt 4057-2010)：本标准规定了普通照明用的发光二极管(简称led)的分类、技术要求、试验方法、检定规则和标志、包装、运输、贮存。本标准
https://www.alighting.cn/resource/2011/3/2/16351_96.htm2011/3/2 16:03:51
地复合发
https://www.alighting.cn/2015/1/20 10:28:54
采用高温固相法合成了licapo4:eu2+蓝色发光粉,并对其发光特性进行了研究。该发光粉发射峰值位于470nm,属于eu2+的4f65d1→4f的特征跃迁发射,与结构相
https://www.alighting.cn/resource/20110324/127824.htm2011/3/24 18:49:36
一份出自华宇光电子的企业内部培训资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125526.htm2013/6/6 11:49:16
以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明正引发人类照明史上的又一次伟大革命.目前,局限半导体照明广泛应用的主要技术瓶颈有:出光效率(或外量子效率),单管最大可发光通量(或最大
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1063.htm2010/1/18 14:18:53
研究发现不同厚度gan 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近，在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。
https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03
采用高温固相法制备了ligd1-xeux(moo4)2钼酸盐红色发光粉,利用xrd和发光光谱技术对粉体进行了性能表征。结果表明:该系列发光粉均为四方晶系的白钨矿结构,能够被近紫外
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:50:26
由华嘉光电技术有限公司的姚华文所整理的《有机电致发光显示器件oled简介》，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130313/125899.htm2013/3/13 10:11:17
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14
于eu3+的5d0→7fj(j=1，2，3，4)特征锐线发射，eu3+摩尔分数为14%时荧光粉的发光强度最
https://www.alighting.cn/2014/7/16 10:49:56
