站内搜索
近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在GaN基LED中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米GaN hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
东芝照明技术公司开发出了在电源电路中应用GaN功率元件的卤素LED灯泡。新产品将在2015年3月6日推出。与原来采用硅功率元件时相比，采用GaN功率元件后，能够以相当于前者约10
https://www.alighting.cn/news/20150304/83130.htm2015/3/4 13:41:39
业格局，世界主要厂商分布在美国、日本、欧盟等地，拥有GaN基蓝、绿光LED、白光技术方面的核心专利，在产业规模上也具有优
https://www.alighting.cn/news/20090731/91210.htm2009/7/31 0:00:00
在si衬底上生长了oan基LED外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光LED芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
采用440 nm短波长inGaN/GaN基蓝光LED芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光LED,研究了不同胶粉配比对LED发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
2007年3月19日，澳大利亚bluglass公司声称观察到玻璃衬底GaN LED的短暂发光。
https://www.alighting.cn/resource/20070320/128486.htm2007/3/20 0:00:00
目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，sic同样存在硬度高且成本昂
https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37
scpm公司正在将GaN基板作为可实现高效率LED芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用GaN基板。
https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09
