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irs2530D与新型可调光电子镇流器

irs2530D是一款由ir公司新近推出的采用紧凑型8引脚、半桥驱动的荧光灯可调光电子镇流器控制用ic,irs2530D采用状态机控制方式来实现有关控制功能。irs2530D

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 9:17:27

凝胶型leD封装材料基础聚合物的制备及性能

用下硅氢加成硫化成型,获得折射率n2D51.5000,透光率大于90%(400 nm~800 nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(leD)封装材

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11

绿色发光粉caba_2(bo_3)_2∶tb~(3+)的制备和发光特性

采用高温固相法合成了绿色荧光粉caba2(bo3)2∶tb3+并对其发光特性进行了研究。发射峰值位于496,549,588,622 nm,分别对应tb3+的5D4→7f6、5D4

  https://www.alighting.cn/resource/20110907/127187.htm2011/9/7 9:32:56

凝胶型leD封装材料基础聚合物的制备及性能

用下硅氢加成硫化成型,获得折射率n2D51.5000,透光率大于90%(400 nm~800 nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(leD)封装材

  https://www.alighting.cn/resource/20110829/127241.htm2011/8/29 15:54:05

al_2o_3/si(001)衬底上gan外延薄膜的制备

x射线衍射峰半高宽是 72arcmin ,薄膜的玛赛克 (mosaic)结构是x射线衍射峰展宽的主要原因 .室温下gan光致发光谱的带边峰位于 36 5nm

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

新世纪光电blue ingan/gan leD chip D6 (12x13) 规格说明书

本文档为台湾新世纪blue ingangan leD chip D6 (12x13) leD芯片的规格书。

  https://www.alighting.cn/resource/20110728/127376.htm2011/7/28 18:00:40

新世纪光电geen ingan/gan leD chip D0 (12)规格说明书

本文档为台湾新世纪geen ingangan leD chip D0 (12) leD芯片的规格书。

  https://www.alighting.cn/resource/20110728/127377.htm2011/7/28 17:52:38

40w大功率白光leD光源模块的研制

该研究项目为上海浦东新区科技发展基金科技专项资助的项目,文中对40w的大功率白光leD光源模块的封装技术进行了研究,采用36颗1w的蓝光芯片加yag荧光粉封装的白光leD光源模

  https://www.alighting.cn/resource/2011/7/8/181836_65.htm2011/7/8 18:18:36

瑞丰光电:创业板上市招股说明书

本公司控股股东、 实际控制人龚伟斌和本公司股东东莞康佳电子有限公司承诺:自公司股票在证券交易所上市交易之日起36个月内,不转让或委托他人管理其直接或者间接持有的本公司股份,也不

  https://www.alighting.cn/resource/20110525/127552.htm2011/5/25 15:19:39

中国leD背光液晶电视市场研究年度报告

液晶电视的三大热点无疑是“3D”、“互联网”及“leD” ,虽然前两者在展览上得到了各厂商不遗余力的宣传,但由于技术的局限性及网络资源的限制性,前两者的发展仍有相当大的阻碍。

  https://www.alighting.cn/resource/20110516/127609.htm2011/5/16 17:17:55

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