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《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容：lain-aiGaN-GaN,研究动机,材料的生长和表征;GaN-inGaN材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽GaN模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
据国外媒体报道，华为已经耗巨资从东英格兰经济发展署(eeda)手中收购了英国集成光电器件公司(cip，一家光电子研究实验室)的资产。
https://www.alighting.cn/news/201221/n759037198.htm2012/2/1 9:09:29
用同种GaN基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：GaN基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
议，mcc将可制造、贩卖独立的氮化镓(GaN)基板，并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicense
https://www.alighting.cn/news/20090116/117883.htm2009/1/16 0:00:00
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
针对业界需求，广东省led产业联盟与香港關鍵性零部件製造業協會定于2011年5月12日在广东省广州市联合主办led发光器件先进技术培训班，诚挚邀请业界代表出席。
https://www.alighting.cn/news/2011419/n836731469.htm2011/4/19 11:59:52
虽然植物工厂仍面对生产成本高昂的窘况，但其巨大的商业潜力仍让市场对此项目的投资热度日益增长。目前全球不少led封装企业都逐步涉足植物照明这一蓝海领域，相继推出重磅植物照明光源器
https://www.alighting.cn/news/20171113/153640.htm2017/11/13 10:21:32
