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北京大学的张国义整理的关于《GaN同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料，分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd（遥控等离子化学气相沉积）在玻璃衬底上沉积的GaN led与mocvd法制备的led进
https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
本文首先综述了GaN基材料的基本特性，分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
被动元件厂积极抢进led散热基板市场，聚鼎预估2009年led散热基板新事业营收贡献将成长2～3倍，而九豪也已取得一线led厂订单，4月出货量会开始放大。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/128017.htm2010/7/12 15:54:31
首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
本文分析了用氧化铝（al2o3）和硅（si）作为led集成封装基板材料时的热阻对比。
https://www.alighting.cn/resource/20101229/128115.htm2010/12/29 17:36:21
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
可挠曲基板的出现是为了满足汽车导航仪等中型lcd背光模组薄形化，以及高功率led三次元封装要求的前提下，透过铝质基板薄板化赋予封装基板可挠曲特性，进而形成兼具高热传导性与可挠曲
https://www.alighting.cn/resource/20071116/129096.htm2007/11/16 0:00:00
