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迪思科(disco)开发出了利用激光从sic铸锭上切割sic晶圆的新工艺“kabra”。与使用线锯的传统方法相比，生产sic晶圆的加工时间大约可以缩短到1/4，产量大约可以增加到
https://www.alighting.cn/pingce/20160816/142890.htm2016/8/16 10:09:39
今日，英飞凌科技股份公司(fse代码：ifx / otcqx代码：ifnny)已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月，从奥地利费拉赫工厂的300毫
https://www.alighting.cn/news/2013225/n091249170.htm2013/2/25 13:18:18
英飞凌科技股份公司已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月，从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌coolmos?家族产品，得到了第一批客
https://www.alighting.cn/news/20130225/113276.htm2013/2/25 14:59:41
关闭会津晶圆厂预计会淘汰目前会津厂约197个全职及94个合约职位。会津厂的所有产品将预计在2012年年初之前完成全部生产转移。安森美半导体团队将与生产产品来自会津厂的客户紧密合
https://www.alighting.cn/news/20111019/114370.htm2011/10/19 10:02:10
全球领先的半导体供应商意法半导体宣布，全球首款未使用任何接触式探针完成裸片全部测试的半导体晶圆研制成功。这种测试方法拥有更高的良率、更短的测试时间以及更低的产品成本等潜在优势。此
https://www.alighting.cn/news/20111221/114519.htm2011/12/21 15:38:32
led制造商cree放缓了向较大晶圆制造转移的步伐，目的是为了保持更高的工厂利用率及盈利水平。虽然led照明市场不断壮大，但仍然处于发展初期，供应链中led芯片的过剩抑制了整体需
https://www.alighting.cn/news/201226/n098834796.htm2012/2/6 10:01:19
北京大学的张国义整理的关于《GaN同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料，分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
据悉，现行的制造技术仅能制作出数mm左右大小的长方形GaN基板。住友的GaN基板，突破这一量产组件的瓶颈，即使与现行已进行量产的GaN基板结晶面(crystal face)相
https://www.alighting.cn/resource/20101125/128781.htm2010/11/25 0:00:00
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
