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简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理，以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd（遥控等离子化学气相沉积）在玻璃衬底上沉积的GaN led与mocvd法制备的led进
https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
乾照光电和武汉大学研究人员表示，他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率，可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此
https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05
energytrend指出，由于市场对于产品转换效率愈来愈重视，近期的拉货潮造成高效矽晶圆出现供应吃紧的现象，连带拉抬相关产品报价，卖价比一般硅晶圆高约6%至8%。
https://www.alighting.cn/news/20120213/89859.htm2012/2/13 10:08:36
台积电技术中心处长林进祥指出，世界第1座450mm晶圆厂将于今年12月准备就绪，而全球450mm联盟希望在2015年~2016年间建立18寸晶圆的测试生产线，可望陆续开始生产品
https://www.alighting.cn/news/20120910/99146.htm2012/9/10 10:40:17
北京大学的张国义整理的关于《GaN同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料，分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48
迪思科(disco)开发出了利用激光从sic铸锭上切割sic晶圆的新工艺“kabra”。与使用线锯的传统方法相比，生产sic晶圆的加工时间大约可以缩短到1/4，产量大约可以增加到
https://www.alighting.cn/pingce/20160816/142890.htm2016/8/16 10:09:39
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
据悉，现行的制造技术仅能制作出数mm左右大小的长方形GaN基板。住友的GaN基板，突破这一量产组件的瓶颈，即使与现行已进行量产的GaN基板结晶面(crystal face)相
https://www.alighting.cn/resource/20101125/128781.htm2010/11/25 0:00:00
