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英飞凌科技股份公司已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月，从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌coolmos?家族产品，得到了第一批客
https://www.alighting.cn/news/20130225/113276.htm2013/2/25 14:59:41
关闭会津晶圆厂预计会淘汰目前会津厂约197个全职及94个合约职位。会津厂的所有产品将预计在2012年年初之前完成全部生产转移。安森美半导体团队将与生产产品来自会津厂的客户紧密合
https://www.alighting.cn/news/20111019/114370.htm2011/10/19 10:02:10
作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中GaN区别于第一和第二代半导体材料最重
https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00
中国国家半导体照明工程研发及产业联盟(csa)日前对外表示，中国的led市场将继续扩大，到2010年预计市值达到320亿元。而GaN类led的供货量到2010年可望超越日本，达
https://www.alighting.cn/news/20071204/106417.htm2007/12/4 0:00:00
寸的蓝宝石晶
https://www.alighting.cn/news/20130201/112496.htm2013/2/1 10:34:03
全球领先的半导体供应商意法半导体宣布，全球首款未使用任何接触式探针完成裸片全部测试的半导体晶圆研制成功。这种测试方法拥有更高的良率、更短的测试时间以及更低的产品成本等潜在优势。此
https://www.alighting.cn/news/20111221/114519.htm2011/12/21 15:38:32
led制造商cree放缓了向较大晶圆制造转移的步伐，目的是为了保持更高的工厂利用率及盈利水平。虽然led照明市场不断壮大，但仍然处于发展初期，供应链中led芯片的过剩抑制了整体需
https://www.alighting.cn/news/201226/n098834796.htm2012/2/6 10:01:19
采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入GaN中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
ucsb 的shuji nakamura教授在题为《非极性/半极性led和ld的发展现状》的报告中介绍了极性c面led和用ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。
https://www.alighting.cn/news/20080726/103963.htm2008/7/26 0:00:00
日本covalent materials公司是由东芝陶瓷于2006年通过mbo收购而来。该公司于2012年3月底将连续营业亏损、业绩陷入困境的硅晶圆业务(covalen
https://www.alighting.cn/news/20121206/112655.htm2012/12/6 10:00:33
