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2011年6月11日，“亚洲led照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自山东大学晶体材料研究所特聘专家王成新博
https://www.alighting.cn/news/20110808/108974.htm2011/8/8 19:57:21
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
aixtron正在通过推出垂直hvpe工具加速自支撑GaN的商业化，该工具以悬挂的种晶架为特征，并能产直径为2英寸的梨形人造晶体。
https://www.alighting.cn/resource/20071016/128543.htm2007/10/16 0:00:00
2007年4月24日，日立电线株式会社（hitachi cable）确认成功开发产制出直径3英寸的GaN衬底，对于led产业将有正面助益。
https://www.alighting.cn/news/20070426/106320.htm2007/4/26 0:00:00
唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营，或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制，较大部分芯片资源来自集团外部，因此成本不具竞争力，在韩系三巨
https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
根据richard stevenson的报道，目前只有少数公司生产GaN衬底，价格昂贵，很难批量生产。
https://www.alighting.cn/resource/20040714/128409.htm2004/7/14 0:00:00
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理，以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
乾照光电和武汉大学研究人员表示，他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率，可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此
https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05
