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洞在没有发光就被撷取了,在二者接合(再接合)时的能量,就会变成热释放出来,所以 GaN、inGaN从基本上来说,几乎不可能作为发光组件的材料。实际上,虽然缺点很多的GaN在室温条件
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53
是开发蓝光led时,碳化矽(sic)与氮化镓(GaN)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时,必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前,全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
叉的位错线是呈现黑色的,可以推断晶格不匹配增加,iqe下降。虽然gaas和inp中晶格匹配和iqe显示很强的关系,但是GaN中这种关系却不明显,这主要是GaN中位错的电学活性很
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11