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统中，sst25vf016b为16 MB，具有spi接口的8pin串行flash存储器，由于sst25vf016b工作电压为3 v，故使用u3，u4两片74lvc245完成5 v到
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261491.html2012/1/8 21:45:57
展。这种工艺不但??避了透明衬底专利,而且,更利于规模生产。其效果可以说与透明衬底法具有异曲同工之妙。该工艺通常谓之MB工艺,首先去除gaas衬底,然后在其表面与si基底表面同时蒸
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