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近日，碳化硅功率器件领域的市场领先者cree公司(nasdaq: cree)日前宣布推出最新z-rec?650v 结型肖特基势垒(jbs)二极管系列。
https://www.alighting.cn/pingce/20110111/123106.htm2011/1/11 17:17:17
型n－zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构，研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创
https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00
日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文，试制出利用gan系半导体的红光LED组件。藤原康文教授介绍，利用gan系半导体的蓝光LED组件及绿色LED组件现已达
https://www.alighting.cn/news/20090708/93786.htm2009/7/8 0:00:00
本资料来源于2013新世纪LED高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率LED的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
日立电线宣佈，已经开发出新型红光LED，亮度较现有产品提升了5倍。日立电线现有产品平均1w亮度最高为12流明。该新型红光LED产品主要在芯片基板与发光层之间设置金属反射层，以防
https://www.alighting.cn/news/20071220/93762.htm2007/12/20 0:00:00
本文为2012亚洲LED高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率LED芯片的产业化及应用》的精彩演讲，本文主要围绕着硅衬底的LED技术展开，到硅衬底le
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
目前应用于蓝光LED、dvd雷射上的InGaN，因为没有适合结晶的基板，所以与gaas等传统的LED材料相比，存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题，例如不完全结晶、有缺损等
https://www.alighting.cn/resource/20061009/128941.htm2006/10/9 0:00:00
硅基大功率紫外模组，为晶能光电（江西）有限公司2017神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20170411/149844.htm2017/4/11 9:58:50
由中科院长春应化所科研人员研制的“一种发光二极管用红光荧光粉及制备方法”,实现了红光荧光粉制备的新突破，为使LED更广泛地用于照明、显示和背光源等领域进一步奠定了基础，近日获得国
https://www.alighting.cn/resource/20091224/128758.htm2009/12/24 0:00:00
本文从缩小国际水平差距和节省电能两方面,谈论在我国发展ingaalp红光LED的必要性和紧迫性，希望得到政府有
https://www.alighting.cn/resource/2007829/V12753.htm2007/8/29 13:53:19
