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mocvd法生长ga、P掺杂的zno薄膜

采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、P掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、P掺杂分别得到n、P

  https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29

P层厚度对si基gan垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同P层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了P层厚度即P

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

彩屏背光设计常见问题与解决方案

一份介绍彩屏led背光设计常见问题与解决方案的资料,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130314/125886.htm2013/3/14 13:18:17

gan基蓝光led关键技术进展

n 基蓝光led 制程的关键技术如金属有机物气相外延, P 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末

  https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56

基于rt8482的大功率led驱动电路设计

流恒定,其效率可达89.16 ,且亮度调节范围宽、精度高,适用于通用与景观照明、汽车照明、室内装饰及电子设备背光等大功率led照明应用领

  https://www.alighting.cn/2013/3/5 12:03:34

microchiP dsPic在led照明的解决方案

microchiP 公司的dsPic33f系列是高性能16 位数字信号控制器(dsc),采用改进型哈佛架构和c 编译器优化指令集,具有16 位宽数据总线和24 位宽指令,3.0-

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 17:01:38

氧化对gan基led透明电极接触特性的影响

研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au P gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

基于hdmi技术的智能led显示屏控制器设计

5gbPs的数据传输带宽,满足 1080P的分辨率,并支持所有的hdtv等标准以及dvd audio等先进的数字音频格式,支持多声道96khz或立体声192khz数码音频传递,而且只

  https://www.alighting.cn/resource/20130129/126099.htm2013/1/29 13:20:26

led显示屏质量的决定因素

作为led领域专业性产业研究机构,高工led产业研究院日前发布分析报告称,2012年国内led行业总产值预计将从2011年的1540亿元增至2059亿元。 近年来,led显示屏在国

  https://www.alighting.cn/2013/1/22 14:55:30

湿法表面粗化提高倒装algainP led外量子效率

介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同al组分(alxga1-x)0.5in0.5P的选择性腐蚀特性对倒装algainP红光led进行表面粗化的方法。通过向粗化层gainP加入适

  https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27

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