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led照明的发展前景与挑战

到2015年,高亮度(hb)led的市场规模预计将达到202亿美元,自2012年算起的年复合增长率(cagr)将达到30.6%。驱动这种显著增长的重要应用领域之一是用于为薄膜晶体

  https://www.alighting.cn/news/201385/n731754567.htm2013/8/5 11:12:03

详解led路灯的高效率电源驱动器系统设计

led路灯系统的高效率电源驱动器的设计,其首要的目的就是保证路灯的高频率工况,同时防止供电系统中的干扰侵入到路灯系统中而造成损坏。其次,利用多种复合电路和晶体来提高供电过程

  https://www.alighting.cn/resource/20131101/125161.htm2013/11/1 11:05:49

提高gan基发光二极外量子效益的途径

发光二极(led)低的外量子效率严重制约了led的发展,本文主要介绍了提高gan基led外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射层(db

  https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35

国星光电:已制出超大尺寸单晶钙钛矿晶体

国星光电在投资者互动平台上表示,目前已通过实验室制备出超大尺寸单晶钙钛矿晶体,该研究在发光材料方面具有较大的应用价值。

  https://www.alighting.cn/pingce/20161012/145064.htm2016/10/12 14:45:41

罗姆实现业界最小的低vf Sic肖特基势垒二极

a)。不仅实现了只有Sic才能实现的高速开关,而且正向电压更低,与传统的Si材质快速恢复二极相比,损耗显著降

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31

algan势垒层应变弛豫度对高al含量al_xga_(1-x)n/gan hemt性能的影响

采用数值算法自洽求解poisson和schr?dinger方程,计算了algan势垒层的应变弛豫度对高al含量algan/gan高电子迁移率晶体(hemt)中的导带结构、电子浓

  https://www.alighting.cn/resource/20110816/127305.htm2011/8/16 14:21:55

科学家制成彩色高效硅基发光二极

来自德国卡尔斯鲁厄理工学院(kit)和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米晶体,成功制造出了高效的硅基发光二极(Sileds),其不含重金属,却能够发射出多种颜色的光。

  https://www.alighting.cn/news/2013221/n577249058.htm2013/2/21 9:24:53

基于Si衬底的功率型gan基led制造技术

种结构芯片电流垂直分布,衬底热导率高,可靠性高;发光层背面为金属反射镜,表面有粗化结构,取光效率高。   1.3关键技术及创新性   用Si作gan发光二极衬底,虽然使le

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

稳压二极和led的搭配

当二极发生电流击穿时,只要击穿电流还未到达雪崩击穿所需的电流时,二极并不损坏,而且使二极体反向电压固定在一个特定值上。当加在二极体两端的方向电压消失后二极会自动恢复,不会损

  https://www.alighting.cn/resource/20101129/128180.htm2010/11/29 17:12:16

挪威科技大学研究提升效率gaas led晶体结构

验室中成功生长出来的六方晶体结构,或称作纤维锌矿结

  https://www.alighting.cn/news/20140421/97972.htm2014/4/21 11:33:31

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