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低成本封装引领led第三波成长

变,其中一个值得注意的例子就是cree,其将led晶片放入封装中。过去许多高功率led厂商的设计趋势是使用垂直式led,其中的磊晶或碳化硅(SiC)基板已被去除,而led结构已接在另

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58

低成本封装引领led第三波成长

变,其中一个值得注意的例子就是cree,其将led晶片放入封装中。过去许多高功率led厂商的设计趋势是使用垂直式led,其中的磊晶或碳化硅(SiC)基板已被去除,而led结构已接在另

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11

通过散热设计延长led主照明寿命

若将蓝宝石基板厚度由100微米缩短至80微米,晶片热阻可降低20%,但不能无限制的缩短造成晶圆片破片。另外,若将kchip值提高至280w/mk(SiC),晶片热阻可降低87.5

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00

硅衬底led芯片主要制造工艺

1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

基于si衬底的功率型gan基led制造技术

界上第一只gan基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

了解一些大功率led芯片制造的东西

⑤algainn的碳化硅(SiC)背面光的方法。美国cree公司是世界上唯一的碳化硅基板的algainn超高亮度led制造商,多年来生产的algainn / SiCa芯片的架构不断完善和增加亮

  http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48

led封装对光通量的强化原理

此增加光反射后的散射角度,进而使取光率提升。或如德国欧司朗(osram)使用SiC材料的基板,并将基板设计成斜面,也有助于增加反射,或加入银质、铝质的金属镜射层。▲亮度提升的le

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00

[原创]uninwell大功率led散热和导热整体解决方案

热散热设计材料,提出用于大功率led散热和导热总体解决方案。uninwell大功率led散热和导热材料涉及以下几个环节: 1、 晶片pn结到外延层; 2、 外延层到封装基板

  http://blog.alighting.cn/ufuture/archive/2009/12/19/21822.html2009/12/19 11:59:00

大功率led封装以及散热技术

片温度不超过60℃。3.连接方法: 大功率led基板与散热片连接时请保证两接触面平整,接触良好,为加强两接触面的结合程度,建议在led基板底部或散热片表面涂敷一层导热硅脂(导热硅

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00

大功率led封装以及散热技术

片温度不超过60℃。3.连接方法: 大功率led基板与散热片连接时请保证两接触面平整,接触良好,为加强两接触面的结合程度,建议在led基板底部或散热片表面涂敷一层导热硅脂(导热硅

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

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