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科锐宣布量产第二代碳化硅 mosfet器件显著降低电源转换系统成本

碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅mosfet器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅mosfet器件可实现更高的系统效率及更

  https://www.alighting.cn/news/2013320/n847049790.htm2013/3/20 9:48:13

科锐第二代碳化矽功率mosfet实现量产

科锐公司 (cree, inc) (nasdaq: cree)宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet,是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这

  https://www.alighting.cn/news/20130318/113157.htm2013/3/18 15:17:09

科锐推出第二代SiC功率mosfet

科锐公司 (cree, inc) 宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet,是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这新型1200v耐压功

  https://www.alighting.cn/pingce/20130318/122120.htm2013/3/18 10:15:55

科锐首次向日本公开208lm/w白色led产品

3月5~8日,科锐在东京展出了发光效率高达208lm/w的白色led产品“cree xlamp mk-r”。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130312/121928.htm2013/3/12 9:28:12

科锐276 lm/w光效再度刷新功率型led研发记录

科锐日前宣布,其白光功率型led光效再度刷新行业最高纪录,达到276 lm/w。该项纪录打破了科锐在去年4月取得的254 lm/w研发成果。

  https://www.alighting.cn/2013/2/21 10:18:43

探究矽衬底gan基led技术与前景

目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽SiC、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓gan,中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石,而就全球范围来看,蓝宝石衬底的led市场份

  https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56

led芯片的技术和应用设计知识(一)

硅(si)、碳化硅(SiC)以外,氧化锌(zno)和氮化镓(gan)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片,还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片,技

  http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56

led衬底|基板(substrate)

料的led芯片,则使用蓝宝石、SiC和si等作为基板,如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片,则使用 gaas等作为基

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40

2012,衬底也疯狂

硅衬底取得突破性进展,SiC衬底芯片光效快速提升,而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012,衬底也疯狂。新世纪led网评测室特对led衬底2012年三雄逐鹿天下的历

  https://www.alighting.cn/pingce/20121230/123355.htm2012/12/30 17:15:32

led专利出路应从申请转移至实施和许可授权

d全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始,并且在以蓝宝石和SiC衬底上生长gan基led外延、芯片方面的专利布局已基本完成,所以说总体形势是不容乐观的。  中科院苏州纳米技术

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304217.html2012/12/17 19:34:26

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