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cree推出口径为6英吋的SiC底板

美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋,约150mm的SiC底板,6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2,主要用于led、高频元件及功率半导体元件。

  https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00

科锐升级供gan-on-SiC hemt器件的工艺设计套件

计自动化工具),以实现科锐碳化衬底氮化镓 mmic 加工性

  https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18

山东大学大直径SiC单晶研究取得突破进展

近日,山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展,成功生长出直径3英寸的SiC单晶;2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)

  https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00

氮化镓led发光效率取得突破

普瑞(bridgelux)公司在三月份的公告中称,它已成功的使用八英寸片,使元件达到135 流明每瓦,在实验室中采用八英寸氮化镓的led的发光效率已接近生长在蓝宝石或碳化

  https://www.alighting.cn/news/2011812/n068533843.htm2011/8/12 8:32:35

天富热电:SiC进入量产临界点 led需求爆发提升估值

天富热电(600509)业务可分为稳定增长、扎根新疆的主营业务和技术含量高、发展空间大的投资业务。

  https://www.alighting.cn/news/20120425/113851.htm2012/4/25 10:32:24

晶能光电:衬底led技术更适合于大尺寸外延

渠道为王,技术制胜。在6月9日-12日举行的亚洲led高峰论坛上,晶能光电作为此次cto技术交流大会的嘉宾,将以“衬底大功率led芯片产业化及应用”为话题探讨led技术。为让网

  https://www.alighting.cn/news/20120511/85518.htm2012/5/11 16:46:27

SiC功率元件的組裝與散熱管理

SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而,这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。

  https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36

SiC基板厂商纷纷开发6英寸产品

很多SiC基板厂商已转向开发6英寸产品。口径增至6英寸,虽然能够提高SiC制功率元件的生产效率,但结晶缺陷增加会导致成品率降低。因此,能否在保持现行4英寸产品的结晶品质下实现6英

  https://www.alighting.cn/news/20110921/100107.htm2011/9/21 9:27:56

再见!高价SiC—迪思科开发出产量增至1.5倍的晶圆加工技术

迪思科(disco)开发出了利用激光从SiC铸锭上切割SiC晶圆的新工艺“kabra”。与使用线锯的传统方法相比,生产SiC晶圆的加工时间大约可以缩短到1/4,产量大约可以增加到

  https://www.alighting.cn/pingce/20160816/142890.htm2016/8/16 10:09:39

科瑞在SiC基片市场占有较高份额

制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品,6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。

  https://www.alighting.cn/news/20131119/111789.htm2013/11/19 13:43:50

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