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研究标明，随着温度下降，荧光粉量子效能升高，荧光粉在led封装中的感化在于光色复合。出光减少，辐射波长也会发生变化，从而引起白光led色温、色度的转变，较高的温度还会加速荧光
https://www.alighting.cn/resource/20110513/127621.htm2011/5/13 10:37:51
目前国际上一般把led显示屏光污染分成3类，即白亮污染、人工白昼和彩光污染。而目前我国只对白亮污染中的玻璃幕墙有相关规定，对人工白昼和彩光污染目前还没有相关规定。
https://www.alighting.cn/resource/20110512/127626.htm2011/5/12 19:52:01
性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光峰的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
高光效、长寿命、低价格是白光led进入普通照明必过的叁关，提高芯片的内外量子效率、高技巧封装结构的设计及工艺、提高yag：ce3+的光转换效率是当前直面的叁题，认真研究粉体的相结
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128059.htm2011/2/11 10:26:04
目前国际上一般把led显示屏光污染分成3类，即白亮污染、人工白昼和彩光污染。而目前我国只对白亮污染中的玻璃幕墙有相关规定，对人工白昼和彩光污染目前还没有相关规定。但是考虑到彩光污
https://www.alighting.cn/resource/20110123/128076.htm2011/1/23 15:14:27
本文简单的介绍了量子阱（quantum well）的定义和简要的描述，希望能够给初学者借鉴。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128111.htm2010/12/31 11:31:05
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
半导体元件内部的温度。在led中是指芯片内发光层(pn结间设置多重量子阱构造的位置)的温度。led芯片的发光层在点亮时温度会上升。一般情况下，接合温度越高，发光效率就越低。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128313.htm2010/8/17 16:54:18
根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。是导致以ingan等gan类半导体为发光层的蓝色led和绿色led的外部量子效率降低的原因之一。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128317.htm2010/8/17 15:38:38
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
