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n膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度；另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5 v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
d阳极流向阴极，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，电流越强，发光越强。led发光原理不同于传统uhe、uhp灯泡，它在发光过程中不会产生大量热量，因此寿命都可以达
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126877.html2011/1/11 0:28:00
膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度;另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导致串
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
造工业带来了诸多挑战。它们的制造是通过复杂的晶体外延生长的方式得到的,比如金属有机化学气相沉积(mocvd)技术,该加工技术非常复杂,它有赖于化学反应来实现晶体生长,而不是物理沉
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00
知，假设环境温度也确定，根据壳 温即等于环境温度，那么此时允许的p也就随之确定。 2、小功率半导体器件，比如小晶体管，ic，一般使用时是不带散热器的。所以这时就要考虑器件壳体到空
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/21/128269.html2011/1/21 11:54:00
2b所示。 2、采用线性电流源 加上一个晶体管和/或一个运算放大器，可以把电流非常精确地设置为350毫安。不幸的是，总体效率和r的功率损耗问题依旧。 3、采用低端开
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
现代光学耦合器的核心是输入端的led和输出端的光电探测器. 它们被绝缘的光传导介质隔开。光电探测器可以是光电晶体管，可以是带有晶体管的光电二极管，也可以是集成式检测器/逻辑集成电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
而phase_green和phase_blue则很低。因此，晶体管q6接通，来让电流流过红光led串；晶体管q3接通，来让电流流过el7900光传感器的输出回路（它的电流输出iout跟红光le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134162.html2011/2/20 23:13:00
伏发电led照明系统控制技术的研究受到了各方面的重视。 太阳能光伏电池的发电原理是光生伏特效应，对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.50.6v,通过光照在界面层产
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143399.html2011/3/17 21:34:00
高等级，保证产品在各种易燃易爆场所安全工作。 【bxe8400防爆灯】●采用场效应晶体发光技术，可视距离远，耐老化，寿命长达20000小时。 【bxe8400防爆灯】●具有自动应
http://blog.alighting.cn/wbb1335829909/archive/2011/5/14/178558.html2011/5/14 17:10:00
