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gan外延片的主要生长方法

v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如:ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

外延生长技术概述

积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

三种led衬底材料的比较

、si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化镓:用于gan生长的最理想衬底是gan单晶材料,可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00

oled显示技术近期进展及赶超机遇

代,1963年pope报道了蒽单晶片在400v电压的作用下的发光现象。直到1987年c. w. tang[2]等人首次采用双层器件结构得到了高性能的oled后,oled技术才引起各国专

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230286.html2011/7/19 23:41:00

聚光条件下太阳电池的热电特性分析

出功率、转换效率等参数,然后再把新的转换效率代入热平衡方程进行新一轮计算,直到满足计算精度为止。2计算结果和分析本文以直径为10cm的圆形单晶硅太阳电池为例,对不同串联内阻和换热系数

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230330.html2011/7/20 0:11:00

高亮度led封装工艺技术及方案

粉  四、蓝led+znse单结晶基板  目前手机、数字相机、pda等背光源所使用之白光led采用蓝光单晶粒加yag萤光而成。随着手机闪光灯、大中尺寸(nb、lcd-tv等)显示屏光

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230474.html2011/7/20 23:07:00

[转载]tsmc投入led生产对台湾产业冲击分析

本;在单晶led封装产品热阻可望降至2℃/w,

  http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230918.html2011/7/26 21:43:00

[原创]2011年意大利米兰国际太阳能\欧洲太阳能展\太阳能展 2011年意大利米兰国际太阳能\欧洲太阳能展\太阳能展

能利用政策的出台以及在经济上的支持,其太阳能市场迅速发展,目前意大利已成为欧洲最重要的太阳能市场之一。 展品范围: 太阳能热水器,集热器,真空管太阳能电池,组件单晶硅,多晶

  http://blog.alighting.cn/meixiaozhang/archive/2011/7/27/231031.html2011/7/27 17:58:00

[原创]2012年意大利国际太阳能及绿色建筑展(solar expo+green building) 欧洲绿色建筑展 意大利最大国际太阳能展 国际绿色建筑展 开拓欧洲市场 国家对于

能市场。展品范围:1. 太阳能应用:太阳能光电和太阳能光热产品:单晶硅,多晶硅,非晶体光伏组件,交流变频器,光伏系统布线组件,安装组件,太阳能发电系统,太阳能电池板,光伏膜, 太阳

  http://blog.alighting.cn/meixiaozhang/archive/2011/7/27/231049.html2011/7/27 18:28:00

高亮度led封装工艺技术及方案

粉  四、蓝led+znse单结晶基板  目前手机、数字相机、pda等背光源所使用之白光led采用蓝光单晶粒加yag萤光而成。随着手机闪光灯、大中尺寸(nb、lcd-tv等)显示屏光

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232649.html2011/8/17 22:45:00

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