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膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度;另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导致串
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
知，假设环境温度也确定，根据壳 温即等于环境温度，那么此时允许的p也就随之确定。 2、小功率半导体器件，比如小晶体管，ic，一般使用时是不带散热器的。所以这时就要考虑器件壳体到空
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/21/128269.html2011/1/21 11:54:00
2b所示。 2、采用线性电流源 加上一个晶体管和/或一个运算放大器，可以把电流非常精确地设置为350毫安。不幸的是，总体效率和r的功率损耗问题依旧。 3、采用低端开
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
而phase_green和phase_blue则很低。因此，晶体管q6接通，来让电流流过红光led串；晶体管q3接通，来让电流流过el7900光传感器的输出回路（它的电流输出iout跟红光le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134162.html2011/2/20 23:13:00
伏发电led照明系统控制技术的研究受到了各方面的重视。 太阳能光伏电池的发电原理是光生伏特效应，对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.50.6v,通过光照在界面层产
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143399.html2011/3/17 21:34:00
高等级，保证产品在各种易燃易爆场所安全工作。 【bxe8400防爆灯】●采用场效应晶体发光技术，可视距离远，耐老化，寿命长达20000小时。 【bxe8400防爆灯】●具有自动应
http://blog.alighting.cn/wbb1335829909/archive/2011/5/14/178558.html2011/5/14 17:10:00
e的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性晶圆生长或侧向晶圆生长技术采用这种技术可以进一步减少位错密度,改善gan晶圆层的晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
差(dislocation-free)的控制主要为将排差局限在颈部的成长。3、晶冠成长(crown growth)长完颈部后,慢慢地降低拉速与温度,使颈部的直径逐渐增加到所需的大校4、晶体成
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
n5608) 的基本工作原理是利用电感的电流存储能力。电感可以阻止电流变化,正负皆然。这种阻抗能力对器件上压降的影响可以下式表示：这一简单的公式表明了升压转换器的工作原理。晶体管导
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229957.html2011/7/17 23:35:00
等材料也可作为衬底,通常根据设计的需要选择使用。衬底材料的评价1．衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近、晶格常数失配孝结晶性能好、缺陷密度低；2．衬底与外延
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
