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p（金球）与Si衬底上对应的bump通过共晶焊接在一起，Si衬底通过粘接材料与器件内部热沉粘接在一起。为了有较好的出光效果，热沉上制作有一个聚光杯，芯片安放在杯的中央，热沉选用高导
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
片的透明电极(ito、ruo2、zno及nio)表面做成光子晶体结构，其方法为：首先在倒装焊芯片的透明电极表面贴一层保护膜层，如光刻胶pr， 二氧化硅Sio2，氮化硅 Si3n4
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
衬底目前只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如gan、Si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化镓用于gan生长的最理想衬底是gan单晶材料,可大大提高外延膜的晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
3)?;硅 (Si)碳化硅(Sic)[/url]蓝宝石衬底通常,gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
趣和重视。 要 具 体 分析led科研进展，我们可先回顾一下半导体工业的发展历史。人们一般将Si,g e称为第一代电子材料，而将gaas,in p,g ap,in as,a la
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
用导热更好的衬底材料。早期的led只是采用Si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，（在100°c时约为25w/（m-k）），为了改善衬底的散
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/9/9/289456.html2012/9/9 11:47:13
意：一个是高的热导率，一个是与Si相匹配的膨胀系数。缺点是即使在表面有非常薄的氧化层也会对热导率产生影响，只有对材料和工艺进行严格控制才能制造出一致性较好的aln基板。目前大规
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/10/2/291966.html2012/10/2 19:31:06
香港国际led应用照明科技展 led Light fair/ led Light tech show 一.【英文名称】led Light fair/ led ligh
http://blog.alighting.cn/wanshengzhanlan/archive/2011/7/5/228639.html2011/7/5 16:08:00
v Light sourcesyu jiandong, mou tongshenstate key lab of modern optical instrumentation o
http://blog.alighting.cn/1133/archive/2012/6/20/279374.html2012/6/20 15:56:35
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282490.html2012/7/19 10:31:23
