SiC碳化硅-阿拉丁站内搜索引擎

、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

晶和公司的硅衬底氮化镓基led材料与器件技术诞生，改写了国际半导体照明的历史。我国国家863专家组评价道：“它打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国cree公司垄断碳化硅衬底半导

http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315436.html2013/4/24 16:01:47

1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：lightemittingdiode），一直不受重视

https://www.alighting.cn/resource/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47

对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。

https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52