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制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在si衬底上制造出led。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
路实现的成本和复杂度。分析了系统的控制时序，引入前馈机制来调节开关导通占空比，大大减小输入电压变化对开关频率的影响。 采用0.6μm 30v bcd工艺利用hsptce 仿真验证了
https://www.alighting.cn/resource/20131122/125099.htm2013/11/22 11:42:08
向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在gan中的扩散系
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
soul in the darkness，来自意大利的vgnewtrendwcng公司这一系列灯具，再次延续了一贯的古典与现代结合的主题。精心意识到价值工艺和不断寻找新的材料，将
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2010/1/18/25553.html2010/1/18 8:52:00
前led日光灯取代荧光灯的优势已很明显，但阻碍led日光灯推广应用的技术和成本障碍仍待进一步客服。我们认为采用小功率芯片cob工艺可以减少热阻、提高光效和照度、延长寿命以及降低成本，
https://www.alighting.cn/resource/20130922/125305.htm2013/9/22 13:32:06
造工艺的不断改进和驱动调光电路研究的不断深入相信这个问题会得到很好的解
https://www.alighting.cn/resource/20130916/125325.htm2013/9/16 11:22:09
技术发展和工艺改进，使led成本大幅度下降，推动了led应用的全面发展。为进一步提升led节能效果，全球相关单位均投入极大的研发力量，对led性能、可靠性进行深入的研究开发，特
https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:58:57
8 mv的基准电压电路的设计过程和仿真结果,设计了一种基于双极型、互补型、双扩散金属氧化物半导体(bcd)1.6μm工艺的功率led照明驱动芯片以验证低反馈电阻技术.系统仿真结果表明
https://www.alighting.cn/resource/20130510/125619.htm2013/5/10 10:28:08
分别研究了在聚合物衬底和金属衬底上制备foled的工艺、结构及性能。在聚合物衬底上成功制备了2.8inch(7.112cm)的128×64单色foled显示屏,在驱动电压12v时
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125746.htm2013/4/11 10:42:17
从质量管理体系建立、产品设计与研发过程质量控制、原材料采购评价、产品实现全过程质量控制、现场管理等方面入手,结合led外延片及芯片产品的工艺特点,借鉴相关企业产品质量控制的经验,简
https://www.alighting.cn/2013/3/4 11:41:44
