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0%以上，景观装饰等产品市场占有率达到70%以上；企业自主创新能力明显增强，大型MOCVD装备、关键原材料以及70%以上的芯片实现国产化，上游芯片规模化生产企业3-5家；产业集中
http://blog.alighting.cn/danone/archive/2010/10/19/108944.html2010/10/19 16:17:00
右市场，产品必将走入应用环节。当我们掌握了大量的应用专利和市场份额后，与国外巨头实现专利交叉授权，才能扭转被动的局面。我们预测，如果突破了从MOCVD至芯片的核心技术，那么整个半导
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/11/26/116647.html2010/11/26 9:11:00
层的欧姆接触电极→合金→钝化→划片→测试→包装。 1.2 主要制造工艺 采用thomas swan ccs低压MOCVD系统在50 mm si（111）衬底上生长gan
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
总决战(armageddon)年，而最后获胜的将会是中国。中国不仅掌握市场 ，更布局近千台的MOCVD机海，因此可抓住led的上、中、下游产业。有鉴于
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
→钝化→划片→测试→包装。 1.2主要制造工艺 采用thomasswanccs低压MOCVD系统在50mmsi(111)衬底上生长gan基mqw结构。使用三甲基镓(tmg
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过MOCVD 技术在兰宝石衬底上生长gan基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
光的acled，其次是美国iii-ntechnology，3n技术开发MOCVD生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二
http://blog.alighting.cn/breadtree/archive/2011/6/20/222171.html2011/6/20 13:49:00
型led封装技术主要应满足以下两点要求：①封装结构要有高的取光效率；②热阻要尽可能低,这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。功率型led所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
国 iii-n technology，3n技术开发MOCVD生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233114.html2011/8/20 0:04:00
年，远远大于实际需求量；led外延芯片投资过热次之：目前已有厂家85个，在建的厂家96个，总投资额为1835亿元。MOCVD总规划为4519台，当前实际拥有543台，2011年1～7
http://blog.alighting.cn/biaoshi/archive/2011/11/9/251230.html2011/11/9 19:34:31
