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2011年leD背光新技术逐个睇

leD液晶电视的快速成长占领市场,离不开背光技术的发展支持。综观2011年各大平板显示行业成果展示和高新技术交流会,越来越多厂商投入到leD技术研发中,成果比比皆是。技术升级带

  https://www.alighting.cn/news/20120216/89847.htm2012/2/16 11:23:42

Dmxn-p2-工作室-控制系统接入无线网络

Dmxn-p2控制系统接入无线网络Dmxn-p2-控制系统接入zigbee和gprs无线网络楼宇群控景观照明控制系统方案无线网络对于多栋楼宇进行单独、整体、同步群控提供极大方便。

  http://blog.alighting.cn/DMXN-P2/archive/2013/7/31/322500.html2013/7/31 19:21:13

高频无极灯的技术困境

那么高频无极灯存在着哪些难以解决的技术难点呢?    1、高频无极灯的光效太低,一般在70lm/w以内。就笔者现在所知,高频无极灯的光效还没有超过72lm/w的。即使是达到7

  http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279352.html2012/6/20 14:45:55

leD生产中的六种技术

镀al质金属膜,然后在一定的温度与压力下熔接在一起。如此,从发光层照射到基板的光线被al质金属膜层反射至芯片表面,从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。  三、表面微结构技术  表

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40

leD生产中的六种技术

镀al质金属膜,然后在一定的温度与压力下熔接在一起。如此,从发光层照射到基板的光线被al质金属膜层反射至芯片表面,从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。  三、表面微结构技术  表

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00

专家称中国leD专利申请世界第二 但缺核心技术

4月2日,在广东省战略性新兴产业—leD产业专利分析及预警报告会上,专家指出,目前中国leD产业专利申请量已居世界第二位,但核心技术仍缺乏,相关企业需要在关键技术上加大研发力

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/4/6/148118.html2011/4/6 15:34:00

leD芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

leD芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

leD芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

leD芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

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