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白光leD用钨酸盐红色荧光粉的制备及发光特性

采用高温固相法制备了nay(wo4)2:eu3+发光材料。分别用x射线粉末衍射(xrD)、发光光谱(pl)等手段研究了发光粉的晶体结构以及发光性能。

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125766.htm2013/4/3 10:59:23

Dmxn-p2-工作室-控制系统接入无线网络

Dmxn-p2控制系统接入无线网络Dmxn-p2-控制系统接入zigbee和gprs无线网络楼宇群控景观照明控制系统方案无线网络对于多栋楼宇进行单独、整体、同步群控提供极大方便。

  http://blog.alighting.cn/DMXN-P2/archive/2013/7/31/322500.html2013/7/31 19:21:13

佛山市顺德区行政事业单位leD显示屏项目公开招标

佛山市顺德区政府采购中心受采购人的委托,对以下项目进行公开招标采购,欢迎符合资格条件的供应商参加投标。 1.项目编号:sD12097 2.项目名称:佛山市顺德区行政事业单位le

  http://blog.alighting.cn/62518/archive/2012/7/4/280959.html2012/7/4 14:54:50

高频无极灯的技术困境

那么高频无极灯存在着哪些难以解决的技术难点呢?    1、高频无极灯的光效太低,一般在70lm/w以内。就笔者现在所知,高频无极灯的光效还没有超过72lm/w的。即使是达到7

  http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279352.html2012/6/20 14:45:55

leD生产中的六种技术

镀al质金属膜,然后在一定的温度与压力下熔接在一起。如此,从发光层照射到基板的光线被al质金属膜层反射至芯片表面,从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。  三、表面微结构技术  表

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00

leD生产中的六种技术

镀al质金属膜,然后在一定的温度与压力下熔接在一起。如此,从发光层照射到基板的光线被al质金属膜层反射至芯片表面,从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。  三、表面微结构技术  表

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40

leD芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

leD芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

leD芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

leD芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

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