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夏普公司将于6月29日上市可替代荧光灯器具、具有顶级节能性能的直管型led灯。将用来替代主要用于办公室、商业设施和工厂等业务用途的fl40型荧光灯管。新产品采用了该公司自主开
https://www.alighting.cn/pingce/20120628/122152.htm2012/6/28 12:21:16
近日，南京第壹有机光电有限公司宣布，成功制备出高效能白光oled照明器件。并且在设备安装3个月后，以优异的战绩，实现了公司2011年三大研发目标——发光、发白光、发高质白光的第二
https://www.alighting.cn/news/20110808/115934.htm2011/8/8 9:18:03
用同种GaN基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：GaN基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
议，mcc将可制造、贩卖独立的氮化镓(GaN)基板，并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicense
https://www.alighting.cn/news/20090116/117883.htm2009/1/16 0:00:00
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
发的中国工程师有一定参考价值。 全球第一款商用化发光二极管(led)是在1965年用锗材料作成的，其单价为45美元。随后不久monsanto和惠普公司也推出了用gaasp材料制
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179868.html2011/5/20 0:30:00
利用低压mocvd系统,在蓝宝石衬底上外延生长了inGaN/GaN多量子阱蓝紫光led结构材料。研究了生长温度对有源层inGaN/GaN多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成oled的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15
本文选用cbp 为主体材料,绿色磷光材料ir(ppy)3 为客体发光材料,对其高掺杂浓度下的器件机理进行了初步分析。
https://www.alighting.cn/2015/3/17 10:56:36
