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mocvd法生长ga、p掺杂的zno薄膜

采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、p掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、p掺杂分别得到n、p

  https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29

甘肃省兰炼二小整体教室照明改造详解

学校为发扬敢为天下先的精神,朝着实现省内一流国内知名的现代化学校的目标,同时,也为广大师生营造一个绿色、健康、舒适的照明环境,在兰州建亿德电子科技有限公司及捷能通led校园智

  https://www.alighting.cn/case/20161018/42973.htm2016/10/18 13:44:06

英国推出应用于半导体领域的peek材料

合物经验证能够为晶圆转运箱应用提供理想的综合性能,包括出色的耐化学品性能、优异的耐磨损性能,尤其是低颗粒产生率特性。外,victrexpeek凭借这些独特性能,获广泛认可为制造cm

  https://www.alighting.cn/news/2007528/V2459.htm2007/5/28 15:43:27

厂商扩产明显,降价压力加大—led 衬底行业报告

要的两个部分,是led发光的工作本质所在。led衬底材料的选择,必须要考虑到与外延层半导体发光材料在晶格结构、热膨胀系数和化学稳定性方面的匹配程度,以及其自身的可加工性、散热性能和成

  https://www.alighting.cn/resource/20111012/127026.htm2011/10/12 11:20:41

ge衬底上gainp_2材料的生长研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lpmocvd设备,在(100)面偏(110)面9°的ge单晶衬底上外延生长了gainp2材料,研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、生长速率等生长参数

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26

gasb衬底上外延inas_xsb_(1-x)材料的lp-mocvd研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39

图形蓝宝石基gan性能的研究

在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25

蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59

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