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于加速led大规模进入普通照明的进程。更有专家断言垂直结构GaN基led是市场所向，是半导体照明发展的必然趋势，必将逐步成为主流产品。 近年来cree、osram、philip
http://blog.alighting.cn/infiled/archive/2012/8/27/287432.html2012/8/27 11:19:56
于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的led开发成功。这种led是将 GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm，wd=3
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/8/5/322854.html2013/8/5 17:00:54
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
短短数年内，台湾已成为全球以氮化镓（GaN）为主要制造材料的蓝光二极管（led）制造大本营。GaN不过才发明10年，现在已成为ssl（solid-state lighting）建
https://www.alighting.cn/news/2007210/V3148.htm2007/2/10 16:38:31
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和sic两种）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限。 lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
